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Transistor MOSFET de Alta Qualidade N-CH 1000V 6,1A TO-247AC IRFPG50

Descrição

Transistor MOSFET de Alta Qualidade N-CH 1000V 6,1A TO-247AC IRFPG50
Item
Transistor MOSFET de Alta Qualidade N-CH 1000V 6,1A TO-247AC IRFPG50
tipo
MOSFET N-Canal Jeking TO247, 1 kV, 6,1 A transistores IRFPG50 IRFPG50PBF
Pd - Dissipação de Potência:
190 W
Vds - Tensão de Quebra Dreno-Fonte:
1 kV
Id - Corrente Contínua de Dreno:
6,1 A
Aplicação
vários
Temperatura de Trabalho
-55~+150 ℃
Número da Peça
IRFPG50PBF
Estilo de montagem
Através de um buraco
Embalagem/caixote
TO-247-3
Embalagem:
Tubo
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