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Alta Qualidade RJP63K2 Cristal Líquido Plasma Transistor de Efeito de Campo TO-220 da Agência Fornecedora

Alta Qualidade Cristal Líquido Plasma Transistor de Efeito de Campo TO-220 RJP63K2
Item
Alta Qualidade Cristal Líquido Plasma Transistor de Efeito de Campo TO-220 RJP63K2
Tipo
O RJP63K2 é um IGBT de canal N produzido pela Renesas Electronics, especificamente projetado para aplicações de comutação de potência de alta velocidade. Ele apresenta baixa queda de tensão no estado ligado (V_CE(sat) típica = 1,9V) e alta velocidade de comutação (tempo de subida de 60ns e
tempo de queda de 200ns).
Faixa de resistência a voltagem:
Suporta aplicações de alta voltagem, com o voltage de ruptura drenagem-para-fonte (VDSS) não especificado explicitamente, mas dispositivos semelhantes geralmente cobrem classificações acima de 600V.
Corrente de fuga baixa:
ICES ≤ 1μA (máximo), adequado para designs de baixo consumo
Aplicação
Circuito de interruptor de energia: Adequado para cenários de comutação de energia de alta frequência, como fontes de alimentação comutadas e inversores, utilizando suas características de baixa perda para melhorar a eficiência;
Controle de motor: Usado em módulos de controle de motores (como drives de
frequência variável), suportando modulação PWM de alta velocidade e controle de corrente.
Temperatura de Trabalho
-40~+85 ℃
Número da Peça
RJP63K2
Estilo de montagem
através de um buraco
Embalagem/caixote
TO-220FL
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