Высокое качество RJP63K2 Жидкокристаллический Плазменный Полевой Транзистор Эффекта TO-220 от Поставщика Агентства

Высокое качество RJP63K2 Жидкокристаллический Плазменный Полевой Транзистор Эффекта TO-220 от Поставщика Агентства

Описание

Высококачественный жидкокристаллический плазменный полевой транзистор TO-220 RJP63K2

Товар	Высококачественный жидкокристаллический плазменный полевой транзистор TO-220 RJP63K2
ТИП	RJP63K2 — это транзистор IGBT канала N, произведенный компанией Renesas Electronics, специально разработанный для высокоскоростных силовых коммутационных приложений. Он имеет низкое падение напряжения в открытом состоянии (типичное V_CE(sat) = 1,9В) и высокую скорость переключения (время нарастания 60 нс и время падения 200нс).
Диапазон выдерживаемого напряжения:	Поддерживает приложения высокого напряжения, с разрушающим напряжением между стоком и истоком (VDSS), не указанным явно, но подобные устройства обычно охватывают значения выше 600В.
Низкий ток утечки:	ICES ≤ 1μA (максимум), подходящий для проектов с низким потреблением мощности
Применение	Цепь переключения питания: Подходит для высокочастотных сценариев переключения питания, таких как импульсные источники питания и инверторы, используя их низкопотербные характеристики для повышения эффективности; Привод двигателя: Используется в модулях управления двигателем (например, преобразователях частоты), поддерживающих высокоскоростную модуляцию ШИМ и управление током. rJP63K2
Рабочая температура	-40~+85 ℃
Номер детали	TO-220FL
Стиль установки	через отверстие
Упаковка/коробка	TO-220FL