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Nce80td65bt Transistoren igt bis 247 dip 650v 80a
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Die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 genannten Maßnahmen gelten für die Erstellung von
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CRST040N10N Transistoren von 220 bis 220 Dip
2SC5200-O Bipolartransistoren - BJT PNP 230 V 15 A
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