Mit einem Gehalt an Strom von mehr als 10 W und
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Irfb4115pbf ist 150V 104A 11Mohm bis 220-3
Hy3215w Transistoren von mos bis 220 dip
CRST040N10N Transistoren von 220 bis 220 Dip
2SC5200-O Bipolartransistoren - BJT PNP 230 V 15 A
2SC5200-O Bipolartransistoren - BJT NPN 230 V 15 A
Die Ausrüstung ist aus einem Stahlwerk mit einem Druck von mehr als 10 t.
Die Anlage ist in der Regel mit einem elektrischen Anschluss ausgestattet.
Jeking Neu und Original MOSFET SOT-323-3 BSS138PW 115
Jeking Hochwertig Original TO247 CRSQ027N10N
Irfb4115pbf Mosfet-Transistor - Hochleistungs-Metalloxid-Feldwirkungstransistor
Fqa60n65smdigbt-Transistor - Hochleistungs-isolierter Bipolartransistor für industrielle Anwendungen
2sc5198 Hochspannungs-bipolarer Transistor - robuster Halbleiter für industrielle und elektrische Anwendungen
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